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Transistor Mosfet FQP50N06 Canal N

SKU: TMFQP50N06CN
$3.000,00Precio

El FQP50N06 es un mosfet de modo  QFET® de canal N de 60V, que proporciona un rendimiento de conmutación superior y soportar pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico de lámpara basado en la topología de medio puente. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión como convertidores DC / DC, conmutación de alta eficiencia para productos portátiles y con pilas. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

Especificaciones:

Carga baja de la puerta

100% Avalancha probada

 Capacidad mejorada de dv / dt

Mejoras en la pérdida de conmutación

Pérdida de conducción más baja

175 ° C Grado máximo de temperatura de unión

Polaridad: Canal N

Intensidad drenador continua Id: 50 V

Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V

Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Resistencia de activación Rds(on): 22 mohm

Disipación de potencia Pd: 120 W

Temperatura de trabajo mínima:-55 °C

Temperatura de trabajo máxima.: 175°C

Encapsulado: TO-220

NOTA: La imagen o presentación puede variar.

Incluye:

1 Transistor Mosfet FQP50N06 Canal N.